ഹൃസ്വ വിവരണം:

ഊർജ്ജ പരിവർത്തനത്തിനും വിവര സംസ്കരണത്തിനുമായി രണ്ട് മേഖലകളിലാണ് പ്രധാനമായും ഉപയോഗിക്കുന്നത്

ഊർജ്ജ വ്യവസായത്തിൽ, പ്രധാനമായും ഉയർന്ന കാന്തിക മണ്ഡലത്തിൽ ഉയർന്ന കാന്തിക പ്രേരണയും അലോയ്യുടെ കുറഞ്ഞ കോർ നഷ്ടവും ഉണ്ട്.ഇലക്ട്രോണിക്സ് വ്യവസായത്തിൽ, പ്രധാനമായും ഉയർന്ന കാന്തിക പ്രവേശനക്ഷമതയും കുറഞ്ഞ ബലപ്രയോഗവും ഉള്ള താഴ്ന്ന അല്ലെങ്കിൽ ഇടത്തരം അലോയ്.ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിൽ ഒരു നേർത്ത സ്ട്രിപ്പ് അല്ലെങ്കിൽ അലോയ് ഉയർന്ന പ്രതിരോധം ഉണ്ടാക്കണം.സാധാരണയായി ഷീറ്റ് അല്ലെങ്കിൽ സ്ട്രിപ്പ് ഉപയോഗിച്ച്.

ഉപയോഗത്തിന് പകരമായി മൃദുവായ കാന്തിക വസ്തുക്കൾ, ഇതര കാന്തിക ചുഴലിക്കാറ്റുകൾ മെറ്റീരിയലിനുള്ളിൽ പ്രചോദിപ്പിക്കപ്പെടുന്നു, അതിന്റെ ഫലമായി നഷ്ടം സംഭവിക്കുന്നു, അലോയ് പ്രതിരോധം ചെറുതാണ്, വലിയ കനം, ഒന്നിടവിട്ട കാന്തികക്ഷേത്രത്തിന്റെ ആവൃത്തി കൂടുതലാണ്, എഡി നിലവിലെ നഷ്ടം കൂടുതലാണ്, കാന്തികത കൂടുതൽ കുറയുന്നു.ഇതിനായി, മെറ്റീരിയൽ കനം കുറഞ്ഞ ഷീറ്റ് (ടേപ്പ്) ഉണ്ടാക്കണം, കൂടാതെ ഉപരിതലത്തിൽ ഒരു ഇൻസുലേറ്റിംഗ് പാളി പൂശിയിരിക്കണം, അല്ലെങ്കിൽ ഓക്സൈഡ് ഇൻസുലേറ്റിംഗ് പാളി രൂപപ്പെടുത്തുന്നതിന് ഉപരിതലത്തിലേക്ക് ചില രീതികൾ ഉപയോഗിക്കുക, അത്തരം അലോയ്കൾ സാധാരണയായി മഗ്നീഷ്യം ഓക്സൈഡ് ഇലക്ട്രോഫോറെസിസ് കോട്ടിംഗ് ഉപയോഗിക്കുന്നു.

പ്രധാനമായും നുകം ഇരുമ്പ്, റിലേ, ചെറിയ പവർ ട്രാൻസ്ഫോർമറുകൾ, കാന്തിക കവചം എന്നിവയ്ക്കായി അയൺ-നിക്കൽ അലോയ് കൂടുതലും ആൾട്ടർനേറ്റിംഗ് കാന്തികക്ഷേത്ര ഉപയോഗത്തിലാണ്.

മോഡൽ നമ്പർ.:പെർമല്ലോയ്

പ്രതിരോധശേഷി:0.56

നീളം (≥ %):15-25

ഗ്രേഡ്:E11C

നി:79-81.0%

വ്യാസം:0.05-5.0 മി.മീ

ഉത്ഭവം:ചൈന